据外媒报道，英诺赛科（Innoscience Technology）宣布扩展其产品组合，推出两款100V车规级GaN器件，用于加快LiDAR传感器的切换速度。其INN100W135A-Q的RDS（on）为13.5 mΩ，而较小封装的INN100W800A-Q的RDS（on）为80 mΩ，两者均通过AEC-Q101认证。除了激光雷达（LiDAR）传感器外，这些器件还适用于汽车领域的高功率密度DC-DC转换器和D类音频应用。

图片来源：英诺赛科

这两款器件在尺寸和功率效率方面具有显著优势，INN100W135A-Q和INN100W800A-Q分别采用2.13mm x 1.63mm和0.9mm x 0.9mm的WLCSP封装。这两款器件均专门针对L2 /L3级辅助驾驶系统的要求进行定制，开关速度最高可提高13倍，脉冲宽度降低至硅器件的五分之一。

Qg和Qoss等参数也比硅器件提高了1.5到3倍。这使其具有200/300m的中远距离识别能力，这对于高级驾驶辅助和自动驾驶应用至关重要。

英诺赛科欧洲（Innoscience Europe）总经理Denis Marcon表示：“这两款器件的设计都是为了满足驾驶辅助和自动驾驶技术对效率和精度日益增长的需求——GaN器件凭借其卓越的性能，正在关键的汽车应用中迅速取代传统硅。在LiDAR应用中，众所周知，GaN能够实现更高的分辨率和更大的检测距离，同时降低功率损耗和温度上升，而这些是传统硅技术无法比拟的。”

该批车规级GaN产品目前已实现量产，并正在完成批量订单，满足需求。