在众多技术领域中，从遥控器、自动对焦系统到自动驾驶汽车和虚拟现实头显，红外线探测技术均发挥着至关重要的作用。因此，提升光电二极管等红外传感器的效率将带来巨大的好处。

据外媒报道，芬兰阿尔托大学（Aalto University）的研究人员研发出新型红外线光电二极管，较其他基于锗材料的组件相比，其在1.55微米波长（电信行业的关键波长）处的响应度提升了35%。尤为重要的是，该项新设备能够利用现有的生产工艺制造，因而具有很高的实用性。

更为灵敏的红外传感器（图片来源：阿尔托大学）

阿尔托大学教授Hele Savin表示：“从最初的概念构想到概念验证完成，我们花费了8年时间。”基本思路是采用锗而不是铟镓砷来制造光电二极管，锗光电二极管成本更低，而且可完全与半导体制造工艺兼容；然而，截至目前，在红外光捕捉效率方面，锗光电二极管的表现不佳。Savin的研究团队成功打造出锗光电二极管，能够捕获几乎所有入射的红外线。

构建该概念验证装置的博士研究人员Hanchen Liu表示：“此种高性能的实现得益于多种创新方法的综合应用：利用表面纳米结构消除光学损耗，并通过两种不同方式将电损耗降至最低。”

该研究团队的测试结果显示，其研发的概念验证光电二极管在响应度方面不仅超越了现有的锗光电二极管，还超越了商用铟镓砷光电二极管。此种新技术能够高效捕获红外光子，并在广泛的波长范围内展现出优异性能。此外，新款光电二极管可利用现有制造设施进行生成，研究人员期望直接将其集成至很多技术中。

现在，Savin及团队成员都热切期望深入了解该技术将如何影响现有的应用，并探索因灵敏度提升，哪些新的应用会有可能实现。