据外媒报道，国际汽车供应商FORVIA佛瑞亚集团旗下海拉（FORVIA HELA）宣布选择英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）的全新CoolSiC™汽车MOSFET 1200 V作为其下一代800 V DCDC充电解决方案。英飞凌的CoolSiC MOSFET采用Q-DPAK封装，专为800 V汽车架构中的车载充电器和DCDC应用而设计。该设备使用顶部冷却（TSC）技术，可实现出色的热性能、更简单的组装和更低的系统成本。

图片来源：英飞凌

“我们很高兴继续与佛瑞亚海拉合作，利用我们基于TSC封装的高效SiC产品，”英飞凌汽车高压芯片和分立器件副总裁Robert Hermann表示。“我们不断努力通过提供最先进的SiC解决方案将电动汽车提升到新的水平，以满足汽车行业对性能、质量和系统成本的严格要求。”

“客户是我们努力的核心。这就是我们选择英飞凌CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V作为我们下一代DCDC转换器的原因”，佛瑞亚海拉电子执行委员会成员Guido Schütte表示。“与英飞凌一起，我们将继续提供可持续创新的产品和全面的服务，超越客户的期望，推动先进移动出行的发展。”

英飞凌采用Q-DPAK封装的全新CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V基于Gen1p技术，提供V GS(off)= 0 V和V GS(on)= 20 V范围内的驱动电压。0 V关断可实现单极栅极控制，从而通过减少PCB中的元件数量来简化设计。凭借4.8 mm的爬电距离，该封装可实现超过900 V的工作电压，而无需额外的绝缘涂层。与背面冷却相比，TSC技术可确保优化PCB组装，减少寄生效应，从而显著降低漏电感。因此，客户可从更低的封装寄生效应和更低的开关损耗中获益。通过使用.XT技术扩散焊接芯片，散热效果得到进一步改善。